На февральской конференции IEEE ISSCC 2026 компания SK hynix, покажет 3-ГБ чипы GDDR7 со скоростью 48 Гбит/с – для сравнения, лучшие значения решений от Samsung находятся на уровне 32-36 Гбит/с. При использовании шины в 512 бит это позволит пробить 2 ТБ/с общей ПСП.
Также на IEEE ISSCC 2026 покажут новую мобильную память LPDDR6 с чипами по 2 ГБ. SK Hynix обещает скорость до 14,4 Гбит/с, Samsung – до 12,8 Гбит/с. Кроме этого, корейцы покажут стек HBM4 объемом 36 ГБ с 12-слойной укладкой и ПСП до 3,3 ТБ/с – такая память будет использоваться в нейроускорителях NVIDIA Vera Rubin.